Differenza tra MOSFET e BJT

MOSFET vs BJT

Transistor è un dispositivo elettronico a semiconduttore che fornisce un segnale di uscita elettrica in gran parte variabile per piccoli cambiamenti nei piccoli segnali di ingresso. A causa di questa qualità, il dispositivo può essere utilizzato come amplificatore o interruttore. Transistor è stato rilasciato negli anni '50 e può essere considerato una delle invenzioni più importanti del 20 ° secolo considerando il contributo all'IT. È un dispositivo in rapida evoluzione e sono stati introdotti molti tipi di transistor. Bipolar Junction Transistor (BJT) è il primo tipo e Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) è un altro tipo di transistor introdotto successivamente.

Bipolar Junction Transistor (BJT)

BJT consiste di due giunzioni PN (una giunzione fatta collegando un semiconduttore di tipo p e un tipo di semiconduttore di tipo n). Queste due giunzioni sono formate utilizzando tre pezzi di semiconduttore di collegamento nell'ordine di P-N-P o N-P-N. Pertanto sono disponibili due tipi di BJT noti come PNP e NPN.

Tre elettrodi sono collegati a queste tre parti di semiconduttore e il cavo intermedio è chiamato 'base'. Altre due giunzioni sono "emettitore" e "raccoglitore".

In BJT, la grande corrente di emettitore di collettore (Ic) è controllata dalla piccola corrente di emettitore di base (IB) e questa proprietà viene sfruttata per progettare amplificatori o interruttori. Pertanto può essere considerato come un dispositivo guidato dalla corrente. BJT è usato principalmente nei circuiti amplificatori.

Transistore a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo (MOSFET)

MOSFET è un tipo di transistor ad effetto di campo (FET), composto da tre terminali noti come "Gate", "Source" e "Drain". Qui, la corrente di drenaggio è controllata dalla tensione di gate. Pertanto, i MOSFET sono dispositivi a tensione controllata.

I MOSFET sono disponibili in quattro diversi tipi, come canale n o canale p con modalità di esaurimento o miglioramento. Scarico e fonte sono costituiti da un semiconduttore di tipo n per MOSFET a canale n e in modo simile per dispositivi a canale p. La porta è fatta di metallo e separata dalla fonte e drenata usando un ossido di metallo. Questo isolamento causa un basso consumo energetico ed è un vantaggio nel MOSFET. Pertanto MOSFET viene utilizzato nella logica CMOS digitale, dove i MOSFET a canale p e n vengono utilizzati come blocchi di costruzione per ridurre al minimo il consumo di energia.

Sebbene il concetto di MOSFET sia stato proposto molto presto (nel 1925), è stato praticamente implementato nel 1959 presso i laboratori Bell.